從LCD到Micro LED，顯示技術的升級始終依賴蝕刻工藝對材料的極致掌控。
TFT背板的圖形化
薄膜晶體管（TFT）制造需7-10次蝕刻步驟：
金屬層蝕刻：Mo/Al/Mo疊層用磷酸/硝酸/醋酸混合液濕法刻蝕，確保電極導通電性。
半導體層蝕刻：a-Si或IGZO采用干法蝕刻，保護層界面免受等離子體損傷。
OLED像素精確分割
OLED發光層的精細隔離需使用陰影掩膜（FMM），但其精度受限。最新激光蝕刻技術可直接在有機材料上加工5微米寬像素，提升屏幕分辨率至3000 PPI。
柔性屏的蝕刻革新
聚酰亞胺（PI）基板上的銅電路通過卷對卷蝕刻工藝生產，采用FeCl?溶液實現20微米線寬，彎曲次數超10萬次無斷裂。
